西安交大科研人员制备出全球首款六方氮化硼同质结深紫外LED芯片
六方氮化硼(hBN)是重要的超宽禁带半导体材料,具有类石墨烯层状结构和独特的光电特性,在深紫外发光器件和探测器领域具有重要的应用。早在2007年,科研人员就开展了对hBN材料激子发光特性的实验研究与理论分析,相关成果发表在Science期刊上(Science, 2007, 317: 932-934),并通过阴极发光(CL)测试首次证明了hBN材料具有深紫外发光特性。随着研究的发展,科研人员通过光致...
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